Modelado de Gran Señal de Transistores para Alta Frecuencia. HEMTs

Por: Tipo de material: TextoTextoIdioma: Español Detalles de publicación: SAN SALVADOR, EL SALVADOR : UDB, 2000Descripción: 6 pTema(s): Clasificación CDD:
  • 050 
Resumen: El presente trabajo, presenta una solución relativamente sencilla y precisa al problema de simular el comportamiento de un determinado HEMT cuando éste trabaja en una aplicación de gran señal.
Etiquetas de esta biblioteca: No hay etiquetas de esta biblioteca para este título. Ingresar para agregar etiquetas.
Valoración
    Valoración media: 0.0 (0 votos)
No hay ítems correspondientes a este registro

El presente trabajo, presenta una solución relativamente sencilla y precisa al problema de simular el comportamiento de un determinado HEMT cuando éste trabaja en una aplicación de gran señal.

No hay comentarios en este titulo.

para colocar un comentario.

Con tecnología Koha