Design and Test of Computers. Special Issue Theme: Future Landscape of Embedded Memories. / IEEE, IEEE Computer Society y IEEE Circuits and Systems Society

Colaborador(es): Tipo de material: Recurso continuoRecurso continuoIdioma: Inglés Detalles de publicación: Nueva Jersey​, Estados Unidos: IEEE Computer Society 2011Descripción: v. ; 27cmISSN:
  • 0740-7475
Tema(s): Clasificación CDD:
  • D457
Contenidos:
6- Guest editors' introduction: Nanoscale Memories Pose Unique Challenges. 10-Embedded Memories: Progress and a Look into the Future. 14-Embedded DRAM in 45-nm Technology and Beyond. 22-Bit Cell Optimizations and Circuit Techniques for Nanoscale SRAM Design. 32-Challenges and Directions for Low-Voltage SRAM. 44-Modeling, Architecture, and Applications for Emerging Memory Technologies. 52-Scalable Spin-Transfer Torque RAM Technology for Normally-Off Computing.64-Fast-Write Resistive RAM (RRAM) for Embedded Applications.
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Publicación Periódica Publicación Periódica Biblioteca Rafael Meza Ayau Hemeroteca D457 2011 (Navegar estantería(Abre debajo)) 01 Disponible 49126

6- Guest editors' introduction: Nanoscale Memories Pose Unique Challenges. 10-Embedded Memories: Progress and a Look into the Future. 14-Embedded DRAM in 45-nm Technology and Beyond. 22-Bit Cell Optimizations and Circuit Techniques for Nanoscale SRAM Design. 32-Challenges and Directions for Low-Voltage SRAM. 44-Modeling, Architecture, and Applications for Emerging Memory Technologies. 52-Scalable Spin-Transfer Torque RAM Technology for Normally-Off Computing.64-Fast-Write Resistive RAM (RRAM) for Embedded Applications.

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